顶点笔趣阁

手机浏览器扫描二维码访问

第412章 从江苏武进走出来的工程院院士着名的微电子专家吴汉明（第2页）

1976年，吴汉明从中国科学技术大学毕业。

1978年，吴汉明成为“文革”

后第一批硕士研究生。

1987年，吴汉明从中国科学院力学研究所毕业，获得等离子体和磁流体力学博士学位。

博士毕业后，吴汉明先到美国得克萨斯大学奥斯汀分校和加利福尼亚大学伯克利分校进行博士后研究，同时在加州诺发公司和英特尔公司任高级研发工程师。

求学之路解码

中国科学技术大学以理工科见长，注重基础学科教育。

吴汉明在此系统学习数学、物理等基础课程，培养了严密的逻辑思维与科学方法论。

这为他日后涉足集成电路制造这一高度依赖物理原理（如等离子体物理、热力学）的领域，提供了底层知识支撑。

例如：芯片制造中的刻蚀、沉积工艺，本质上是等离子体与材料相互作用的物理过程，扎实的数理基础使其能快速理解技术底层逻辑。

吴汉明在中科院力学所攻读博士研究生，他聚焦等离子体与磁流体力学。

他选择等离子体物理作为研究方向，看似与芯片制造关联较远，实则为其打开了跨学科视角。

等离子体技术是半导体制造中刻蚀、薄膜沉积等关键工艺的核心（如干法刻蚀需利用等离子体电离气体实现材料刻蚀）。

这一阶段的研究，让他提前掌握了芯片制造核心环节的底层技术原理，成为后来解决工程问题的“学术武器”

。

吴汉明作为恢复高考后的首批研究生，他获得了稀缺的深造机会。

此时中国科技界百废待兴，他敏锐选择前沿的等离子体物理方向，避免了在传统学科中的内卷，为后续切入半导体这一新兴领域埋下伏笔。

20世纪70-80年代，全球半导体产业正从分立器件向集成电路转型，等离子体技术逐渐成为芯片制造的核心工艺，其研究方向与产业趋势高度契合。

吴汉明的等离子体研究虽未直接服务于芯片制造，却在国家日后发展半导体时，成为稀缺的“跨学科人才”

——既能理解物理原理，又具备工程转化潜力。

这种“超前储备”

使其在90年代后半导体产业崛起时，迅速成为关键技术攻关的领军者。

吴汉明的海外博士后研究，让他接触到国际前沿技术

在美国得州大学奥斯汀分校和伯克利分校的研究经历，让他接触到全球顶尖的等离子体物理实验室。

他了解到国际学术界在半导体相关领域的最新成果（如新型刻蚀技术、薄膜沉积机理）。

这种学术交流使其研究始终站在技术前沿，避免闭门造车。

吴汉明求学的数理基础→等离子体物理→半导体工艺的知识链条，使他能以“系统思维”

看待芯片制造难题。

例如，在解决刻蚀均匀性问题时，他既能从等离子体密度分布的物理模型出发分析，也能结合设备工程参数进行优化。

这种“上下打通”

的能力是单一学科背景研究者难以具备的。

基于求学阶段他对国际技术动态的跟踪，早在2000年代，他就意识到“摩尔定律”

演进对先进制程设备的严苛要求，以及国产设备自主化的紧迫性。

这种预判使其在国家集成电路重大专项中，能够精准布局光刻机、刻蚀机等“卡脖子”

领域，推动技术攻关从“跟跑”

向“并跑”

跨越。

吴汉明求学路径中的跨学科经验，影响了后续学术团队的培养方向。